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AS5C1008DJDCJ-20IT

产品描述Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32
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文件大小306KB,共7页
制造商Micross
官网地址https://www.micross.com
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AS5C1008DJDCJ-20IT概述

Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32

AS5C1008DJDCJ-20IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micross
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间20 ns
其他特性LOW POWER STANDBY MODE
JESD-30 代码R-CDSO-J32
JESD-609代码e0
长度21 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.2 mm

AS5C1008DJDCJ-20IT相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32 Cache SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32 Cache SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32 Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32 Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32 Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ,
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 15 ns 15 ns 20 ns 20 ns 20 ns
其他特性 LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE
JESD-30 代码 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32 R-CDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 21 mm 21 mm 21 mm 21 mm 21 mm 21 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm
厂商名称 Micross Micross - - Micross Micross
PCF8578 datasheet
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