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MT46H32M16LGBF-6AT:C

产品描述DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA60, 9 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共95页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT46H32M16LGBF-6AT:C概述

DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA60, 9 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60

MT46H32M16LGBF-6AT:C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度9 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

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Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Features
Mobile Low-Power DDR SDRAM
MT46H32M16LF – 8 Meg x 16 x 4 Banks
MT46H16M32LF – 4 Meg x 32 x 4 Banks
MT46H16M32LG – 4 Meg x 32 x 4 Banks
Features
V
DD
/V
DDQ
= 1.70–1.95V
Bidirectional data strobe per byte of data (DQS)
Internal, pipelined double data rate (DDR)
architecture; two data accesses per clock cycle
Differential clock inputs (CK and CK#)
Commands entered on each positive CK edge
DQS edge-aligned with data for READs; center-
aligned with data for WRITEs
4 internal banks for concurrent operation
Data masks (DM) for masking write data; one mask
per byte
Programmable burst lengths (BL): 2, 4, 8, or 16
Concurrent auto precharge option is supported
Auto refresh and self refresh modes
1.8V LVCMOS-compatible inputs
Temperature-compensated self refresh (TCSR)
Partial-array self refresh (PASR)
Deep power-down (DPD)
Status read register (SRR)
Selectable output drive strength (DS)
Clock stop capability
64ms refresh
Table 1: Key Timing Parameters (CL = 3)
Speed Grade
-5
-54
-6
-75
Clock Rate
200 MHz
185 MHz
166 MHz
133 MHz
Access Time
5.0ns
5.0ns
5.0ns
6.0ns
Options
V
DD
/V
DDQ
1.8V/1.8V
Configuration
32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)
16 Meg x 32 (4 Meg x 32 x 4 banks)
Addressing
JEDEC-standard addressing
Reduced page size
Plastic "green" package
60-ball VFBGA (8mm x 9mm)
1
90-ball VFBGA (8mm x 13mm)
2
Timing – cycle time
5ns @ CL = 3 (200 MHz)
5.4ns @ CL = 3 (185 MHz)
6ns @ CL = 3 (166 MHz)
7.5ns @ CL = 3 (133 MHz)
Power
Standard I
DD2
/I
DD6
Low-power I
DD2
/I
DD6
Operating temperature range
Commercial (0˚ to +70˚C)
Industrial (–40˚C to +85˚C)
Automotive (–40˚C to +105˚C)
Design revision
Notes:
Marking
H
32M16
16M32
LF
LG
BF
B5
-5
-54
-6
-75
None
L
None
IT
AT
:C
1. Only available for x16 configuration.
2. Only available for x32 configuration.
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
1
‡Products and specifications discussed herein are for evaluation and reference purposes only and are subject to change by
Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron's production data sheet specifications.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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