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K7P403623M-H65

产品描述Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小335KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7P403623M-H65概述

Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K7P403623M-H65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6.5 ns
其他特性ALSO REQUIRES 2.5V I/O SUPPLY
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.06 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
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