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SMBJ110A

产品描述110V,600W,Surface Mount TVS, Diodes, 10×1000us, 600W, 110V, 122V, 135V, 1uA
文件大小832KB,共7页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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SMBJ110A在线购买

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SMBJ110A概述

110V,600W,Surface Mount TVS, Diodes, 10×1000us, 600W, 110V, 122V, 135V, 1uA

SMBJ110A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SMB
包装说明R-PDSO-J2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压135 V
最小击穿电压122 V
击穿电压标称值128.5 V
最大钳位电压177 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-J2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压110 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式J BEND
端子位置DUAL
类别
Condition10×1000us
PPK (W)600
VRWM (V) max.110
VBR (V) min.122
VBR (V) max.135
IR (uA) max.1
VC (V) max.177
Condition1_IPP (A)3.4
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅Yes
符合ReachYes
符合RoHSYes
ECCN代码EAR99
Package OutlinesSMB
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