S75WS256PEFJF5VS0,S75WS256PEFJF5VS0 pdf中文资料,S75WS256PEFJF5VS0引脚图,S75WS256PEFJF5VS0电路-Datasheet-电子工程世界

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S75WS256PEFJF5VS0: 产品描述Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA115, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115; 产品类别存储存储; 文件大小464KB，共15页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/; 标准

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S75WS256PEFJF5VS0概述

Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA115, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115

S75WS256PEFJF5VS0规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SPANSION
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	115
Reach Compliance Code	compliant
JESD-30 代码	R-PBGA-B115
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	115
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	9 mm

S75WS256PEFJF5VS0相似产品对比

	S75WS256PEFJF5VS0	S75WS256PEFKFFLW3	S75WS256PEFKFFLW0	S75WS256PEFKFFLW2	S75WS256PEFJF5VS3	S75WS256PEFJF5VS2
描述	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA115, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA128, 12 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-128	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA128, 12 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-128	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA128, 12 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-128	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA115, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA115, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	LFBGA,	LFBGA,
针数	115	128	128	128	115	115
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
JESD-30 代码	R-PBGA-B115	S-PBGA-B128	S-PBGA-B128	S-PBGA-B128	R-PBGA-B115	R-PBGA-B115
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	115	128	128	128	115	115
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.15 mm	1.15 mm	1.15 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40
宽度	9 mm	12 mm	12 mm	12 mm	9 mm	9 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅

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