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MGFC4416D-03

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小755KB,共12页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGFC4416D-03概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-6

MGFC4416D-03规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.06 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N6
元件数量1
端子数量6
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)9.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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