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MGF1423BX-01

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, GD-9, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小201KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGF1423BX-01概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, GD-9, 4 PIN

MGF1423BX-01规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.08 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带KU BAND
JESD-30 代码R-CQMW-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGF1423BX-01相似产品对比

MGF1423BX-01 MGF1423B-01
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, GD-9, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, GD-9, 4 PIN
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 MICROWAVE, R-CQMW-F4 MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW NOISE, HIGH RELIABILITY LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.08 A 0.08 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 R-CQMW-F4 R-CQMW-F4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 9 dB 9 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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