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MRF2000-5L

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF2000-5L概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN

MRF2000-5L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压22 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF2000-5L相似产品对比

MRF2000-5L
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
厂商名称 Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 BASE
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 22 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最小功率增益 (Gp) 7 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
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