MHR35N10HX概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,35A I(D),TO-258AA

MHR35N10HX规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
配置	Single
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	35 A
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-258AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大功率耗散 (Abs)	125 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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MHR35N10HX相似产品对比

	MHR35N10HX	MHR35N10HXV
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,35A I(D),TO-258AA	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,35A I(D),TO-258AA
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	Single	Single
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	35 A	35 A
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-258AA	TO-258AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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