Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MRF839F

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MRF839F: 产品描述\"Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小44KB，共1页; 制造商New Jersey Semiconductor; 官网地址http://www.njsemi.com

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MRF839F概述

\"Bipolar Transistor

MRF839F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown

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{Product*, One.

20 STERN AVE.

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

U.S.A.

TELEPHONE: (973) 376-2922

(212)227-6005

FAX: (973) 376-8960

MRF839F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

MRF839F

is Designed for

Class AB, Common Emitter

Applicatons Up to 960 MHz.

FEATURES INCLUDE:

• Input Matching Network

• High Gain

• Gold Metalization

MINIMUM

MAXIMUM

-365/9.27

. 1 2 5 / 3 18

.085/2.16

PACKAGE STYLE .230 6L FLG

040x45' "~.

.025

.115

430 D I

MAXIMUM RATINGS

0.6 A

36V

20 W

@ T

= 25 °C

-55°

C to +200 °

-55°

C to +150°

.355/9,02

.115

.075; 1 91

.225/5.72

.235 / 5.97

.110/2.79

-090 / 2.29

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.355/9.02

004/0.10

.120/305

-160/4.06

.230/584

VCES

PDISS

730 / 18.54

.980/24.89

365/9.27

.006 / 0 1 5

.130/3.30

. 1 8 0 / 4 57

.260/6.60

TSTG

9.0 °C/W

1 & 3 & 4 & 6 = EMITTER

2 = BASE

5 = COLLECTOR

CHARACTERISTICS

SYMBOL

BVCES

CEO

EBO

ICES

hFE

COB

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

3.5

= 5.0 mA

Ic = 5.0 mA

UNITS

= 100pA

= 15V

= 5.0V

= 15V

= 100mA

f= 1.0 MHz

150

—

Tic

C E

= 12.5V

Fo = 870 MHz

ICQ = 50mA

POUT = 3.0 W

8.0

10.0

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without

notice. Information furnished b> N.I Semi-Conductors is believed to be both accurate and reliable at the time or'going

to press. However, NJ Semi-Conductors assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

\ Semi-Conductors encourages customers to verity that datasheets are current before placing orders.

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