MD6003: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-77,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小19KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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MD6003概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-77,

MD6003规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-77
JESD-30 代码	O-MBCY-W6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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MD6003

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

8.51 (0.335)

9.40 (0.370)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

1.02

(0.040)

Max.

COMPLEMENTARY DUAL

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

NPN / PNP SILICON

12.7 (0.500)

Min.

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

5.08

(0.200)

2.54

(0.100)

2.54

(0.100)

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

45˚

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO77 PACKAGE

PIN 1 – Collector

PIN 2 – Base

PIN 3 – Emitter

PIN 4 – Emitter

PIN 5 – Base

PIN 6 – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

= 25°C unless otherwise stated)

CEO

CBO

EBO

, T

stg

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

Operating and Storage Junction Temperature Range

30V

50V

5.0V

500mA

–65 to +200°C

Per Side

575mW

3.29mW/°C

1.8mW

10.3mW/°C

Total Device

625mW

3.57mW/°C

2.5mW

14.3mW/°C

Total Device Dissipation

@ T

= 25°C

Derate above 25°C

@ T

= 25°C

Derate above 25°C

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail:

sales@semelab.co.uk

Website:

http://www.semelab.co.uk

Prelim. 7/00

MD6003相似产品对比

	MD6003	MD6003G4
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-77,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-77,
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	30	30
JEDEC-95代码	TO-77	TO-77
JESD-30 代码	O-MBCY-W6	O-MBCY-W6
元件数量	2	2
端子数量	6	6
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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