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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> KM23C64000BG-10
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KM23C64000BG-10

产品描述MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
产品类别存储    存储   
文件大小73KB，共4页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM23C64000BG-10概述

MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

KM23C64000BG-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP44,.63
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 4M X 16
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.5 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.1 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度12.6 mm

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KM23C64000BG
64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
•
Switchable organization
8,388,608 x 8(byte mode)
4,194,304 x 16(word mode)
•
Fast access time : 100ns(Max.)
•
Supply voltage : single +5V
•
Current consumption
Operating : 70mA(Max.)
Standby : 100µA(Max.)
•
Fully static operation
•
All inputs and outputs TTL compatible
•
Three state outputs
•
Package
-. KM23C64000BG : 44-SOP-600
Advance Information
CMOS MASK ROM
GENERAL DESCRIPTION
The KM23C64000BG is a fully static mask programmable ROM
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is
organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as
4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage
level.(See mode selection table)
This device operates with a 5V single power supply, and all
inputs and outputs are TTL compatible.
Because of its asynchronous operation, it requires no external
clock assuring extremely easy operation.
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and
data memory, character generator.
The KM23C64000BG is packaged in a 44-SOP.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A
21
.
.
.
.
.
.
.
.
A
0
A
-1
. . .
CE
OE
BHE
Pin Name
A
0
- A
21
Q
0
- Q
14
Q
15
/A
-1
Pin Function
Address Inputs
Data Outputs
Output 15(Word mode)/
LSB Address(Byte mode)
Word/Byte selection
Chip Enable
Output Enable
Power ( +5V)
Ground
CONTROL
LOGIC
Q
0
/Q
8
Q
7
/Q
15
X
BUFFERS
AND
DECODER
PIN CONFIGURATION
MEMORY CELL
MATRIX
(4,194,304x16/
8,388,608x8)
A
21
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
11
44 A
20
43 A
19
42 A
8
41 A
9
40 A
10
39 A
11
38 A
12
37 A
13
36 A
14
35 A
15
34 A
16
33 BHE
32 V
SS
31 Q
15
/A
-1
30 Q
7
29 Q
14
28 Q
6
27 Q
13
26 Q
5
25 Q
12
24 Q
4
23 V
CC
Y
BUFFERS
AND
DECODER
SENSE AMP.
DATA OUT
BUFFERS
A
4
A
3
A
2
A
0
A
1
10
CE 12
V
SS
13
OE 14
Q
0
Q
8
15
16
SOP
Q
1
17
Q
9
18
Q
2
Q
10
19
20
Q
3
21
Q
11
22
KM23C64000BG
BHE
CE
OE
V
CC
V
SS

KM23C64000BG-10相似产品对比

KM23C64000BG-10 KM23C64000BG-15 KM23C64000BG-12
描述 MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 4MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP44,.63 SOP, SOP44,.63 SOP, SOP44,.63
针数 44 44 44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 150 ns 120 ns
其他特性 CONFIGURABLE AS 4M X 16 CONFIGURABLE AS 4M X 16 CONFIGURABLE AS 4M X 16
备用内存宽度 8 8 8
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 28.5 mm 28.5 mm 28.5 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 44 44 44
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP
封装等效代码 SOP44,.63 SOP44,.63 SOP44,.63
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.1 mm 3.1 mm 3.1 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 12.6 mm 12.6 mm 12.6 mm

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