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MJE15029

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共2页
制造商SPC Multicomp
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MJE15029概述

Power Bipolar Transistor,

MJE15029规格参数

参数名称属性值
厂商名称SPC Multicomp
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最大降落时间(tf)500 ns
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大上升时间(tr)600 ns
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12 MHz
最大关闭时间(toff)1700 ns
VCEsat-Max1 V
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