Power Bipolar Transistor,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SPC Multicomp |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
最大降落时间(tf) | 500 ns |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
最大上升时间(tr) | 600 ns |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 12 MHz |
最大关闭时间(toff) | 1700 ns |
VCEsat-Max | 1 V |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved