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MJE13005G-E-TN3-R

产品描述Power Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小412KB,共10页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE13005G-E-TN3-R概述

Power Bipolar Transistor

MJE13005G-E-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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