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BUK761R8-30C

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小320KB,共16页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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BUK761R8-30C概述

Power Field-Effect Transistor

BUK761R8-30C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明D2PAK-3
Reach Compliance Codenot_compliant
雪崩能效等级(Eas)1700 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)312 A
最大漏源导通电阻1800 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)1249 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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