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BUK7507-30B

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共15页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BUK7507-30B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BUK7507-30B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)157 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)

BUK7507-30B相似产品对比

BUK7507-30B BUK7607-30B
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknown not_compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 157 W 157 W
表面贴装 NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
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