AHCT/VHCT/VT SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, CERMAIC, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 系列 | AHCT/VHCT/VT |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.45 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.008 A |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 10 ns |
| 传播延迟（tpd） | 10 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | YES |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| SNJ54AHCT132J | SNJ54AHCT132FK | SNJ54AHCT132W | |
|---|---|---|---|
| 描述 | AHCT/VHCT/VT SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, CERMAIC, DIP-14 | AHCT/VHCT/VT SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, CERMAIC, LCC-20 | AHCT/VHCT/VT SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDFP14, CERMAIC, DFP-14 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ | DFP, FL14,.25 |
| 针数 | 14 | 20 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| 系列 | AHCT/VHCT/VT | AHCT/VHCT/VT | AHCT/VHCT/VT |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 | S-PQCC-N20 | R-PDFP-F14 |
| JESD-609代码 | e0 | e4 | e0 |
| 长度 | 19.45 mm | 8.89 mm | 9.21 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 20 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCN | DFP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ | FL14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | FLATPACK |
| 包装方法 | TUBE | TUBE | TUBE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 10 ns | 10 ns | 10 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | YES | YES | YES |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | NICKEL PALLADIUM GOLD | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm | 6.285 mm |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 10 ns | 10 ns | - |
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