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NSQ03A03LTE16R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 30V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小160KB,共1页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NSQ03A03LTE16R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 30V V(RRM), Silicon,

NSQ03A03LTE16R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

NSQ03A03LTE16R相似产品对比

NSQ03A03LTE16R NSQ03A03LTE16L
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 30V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Nihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.45 V 0.45 V
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1.2 A 1.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向电流 3000 µA 3000 µA
表面贴装 YES YES
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
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