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IR30DDR04L

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共3页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IR30DDR04L概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-1

IR30DDR04L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码DIE
包装说明O-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用HIGH POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XUUC-N1
JESD-609代码e0
元件数量1
相数1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Bulletin I0307J 11/01
IR30DDR..L SERIES
HIGH POWER RECTIFIER DIODES
Junction Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
30 mm Diameter
400 to 1600 V
Diffused Junction
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
1.28V
400 to 1600 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 1000 A
T
J
= 150°C, I
RRM
= 20 mA
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition
Nominal Front Metal Composition
Chip Dimensions
Recommended Storage Environment
Al - Ni - Au
Nickel plate Molibdenum disc
30 mm diameter (see drawing)
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
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