Memory Circuit, 256X8, CMOS, MEDB2, MICROCAN-2
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
包装说明 | , |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X8 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
DS14220-F50 | |
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描述 | Memory Circuit, 256X8, CMOS, MEDB2, MICROCAN-2 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X8 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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