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DS1250W-150-IND

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32
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文件大小185KB,共11页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1250W-150-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32

DS1250W-150-IND规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
包装说明0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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