Dual Buffer/Driver with 3-State Outputs 8-DSBGA -40 to 85
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA8,2X4,20 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 计数方向 | UNIDIRECTIONAL |
| 系列 | AUC |
| JESD-30 代码 | R-XBGA-B8 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 1.9 mm |
| 负载电容（CL） | 15 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.009 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.2/2.5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 3.3 ns |
| 传播延迟（tpd） | 3.3 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 0.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN74AUC2G240YZPR | SN74AUC2G240DCTR | SN74AUC2G240DCUR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual Buffer/Driver with 3-State Outputs 8-DSBGA -40 to 85 | Dual Buffer/Driver with 3-State Outputs 8-SM8 -40 to 85 | Dual Buffer/Driver with 3-State Outputs 8-VSSOP -40 to 85 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | VFBGA, BGA8,2X4,20 | LSSOP, SSOP8,.16 | VSSOP, TSSOP8,.12,20 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | 1 week |
| 控制类型 | ENABLE LOW | - | ENABLE LOW |
| 计数方向 | UNIDIRECTIONAL | - | UNIDIRECTIONAL |
| 系列 | AUC | - | AUC |
| JESD-30 代码 | R-XBGA-B8 | - | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e1 | - | e4 |
| 长度 | 1.9 mm | - | 2.3 mm |
| 负载电容（CL） | 15 pF | - | 15 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | - | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.009 A | - | 0.009 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
| 位数 | 1 | - | 1 |
| 功能数量 | 2 | - | 2 |
| 端口数量 | 2 | - | 2 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED | - | INVERTED |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | - | VSSOP |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 | - | TSSOP8,.12,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | - | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR | - | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 |
| 电源 | 1.2/2.5 V | - | 1.2/2.5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA | - | 0.01 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 3.3 ns | - | 3.3 ns |
| 传播延迟（tpd） | 3.3 ns | - | 3.3 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.5 mm | - | 0.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V | - | 0.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | - | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | BALL | - | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | - | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A | - | N/A |
| 宽度 | 0.9 mm | - | 2 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
