电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

DS1963L-F5+

产品描述Memory Circuit, 4KX1, CMOS, MEDB2, MICROCAN-2
产品类别存储    存储   
文件大小480KB,共24页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
标准
下载文档 详细参数 全文预览

DS1963L-F5+概述

Memory Circuit, 4KX1, CMOS, MEDB2, MICROCAN-2

DS1963L-F5+规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
包装说明,
针数2
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码O-MEDB-N2
JESD-609代码e3
内存密度4096 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度1
功能数量1
端子数量2
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX1
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 161  337  367  535  1462 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved