Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | R-PDSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大击穿电压 | 14.9 V |
最小击穿电压 | 12.2 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-215AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 1.38 W |
最大重复峰值反向电压 | 11 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
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