IS62C64-100W,IS62C64-100W pdf中文资料,IS62C64-100W引脚图,IS62C64-100W电路-Datasheet-电子工程世界

IS62C64-100W: 产品描述Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小200KB，共7页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS62C64-100W概述

Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

IS62C64-100W规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	36.576 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.699 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

IS62C64-100W相似产品对比

	IS62C64-100W	IS62C64-45W	IS62C64-100U	IS62C64-45U
描述	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	45 ns	100 ns	45 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	36.576 mm	36.576 mm	18.1 mm	18.1 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP
封装等效代码	DIP28,.6	DIP28,.6	SOP28,.45	SOP28,.45
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.699 mm	4.699 mm	2.8448 mm	2.8448 mm
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.07 mA	0.09 mA	0.07 mA	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	15.24 mm	8.4 mm	8.4 mm
Base Number Matches	-	1	1	1

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