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IDT7M207S85CB

产品描述FIFO, 32KX9, 85ns, Asynchronous, CMOS
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文件大小312KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M207S85CB概述

FIFO, 32KX9, 85ns, Asynchronous, CMOS

IDT7M207S85CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
最大时钟频率 (fCLK)9.5 MHz
周期时间105 ns
JESD-30 代码R-XDMA-T28
JESD-609代码e0
内存密度294912 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.048 A
最大压摆率0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7M207S85CB相似产品对比

IDT7M207S85CB IDT7M207S120C IDT7M207S85C IDT7M207S120CB
描述 FIFO, 32KX9, 85ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 32KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 32KX9, 85ns, Asynchronous, CMOS FIFO, 32KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 85 ns 120 ns 85 ns 120 ns
最大时钟频率 (fCLK) 9.5 MHz 7.1 MHz 9.5 MHz 7.1 MHz
周期时间 105 ns 140 ns 105 ns 140 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28 R-XDMA-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C
组织 32KX9 32KX9 32KX9 32KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.048 A 0.032 A 0.032 A 0.048 A
最大压摆率 0.72 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.72 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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