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BYD47-16135

产品描述DIODE 0.34 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYD47-16135概述

DIODE 0.34 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYD47-16135规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.34 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.71 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1600 V
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

BYD47-16135相似产品对比

BYD47-16135 BYD47-18135
描述 DIODE 0.34 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.34 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.34 A 0.34 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.71 W 0.71 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1600 V 1800 V
最大反向恢复时间 0.3 µs 0.3 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
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