512X9 OTHER FIFO, 65ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 65 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 12.5 MHz |
| 周期时间 | 80 ns |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.995 mm |
| 内存密度 | 4608 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512X9 |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.455 mm |
| MK4501K65 | MK4501N65 | |
|---|---|---|
| 描述 | 512X9 OTHER FIFO, 65ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | 512X9 OTHER FIFO, 65ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFJ | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-32 | PLASTIC, DIP-28 |
| 针数 | 32 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 65 ns | 65 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 12.5 MHz | 12.5 MHz |
| 周期时间 | 80 ns | 80 ns |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.995 mm | 37.085 mm |
| 内存密度 | 4608 bit | 4608 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 |
| 字数 | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512X9 | 512X9 |
| 可输出 | NO | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.455 mm | 15.24 mm |
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