AT29LV040A-25DC,AT29LV040A-25DC pdf中文资料,AT29LV040A-25DC引脚图,AT29LV040A-25DC电路-Datasheet-电子工程世界

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AT29LV040A-25DC: 产品描述Flash, 512KX8, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小49KB，共2页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT29LV040A-25DC概述

Flash, 512KX8, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32

AT29LV040A-25DC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	250 ns
其他特性	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION
启动块	BOTTOM/TOP
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42.2 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
页面大小	256 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm
部门规模	256
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	15.24 mm

AT29LV040A-25DC相似产品对比

	AT29LV040A-25DC	AT29LV040A-25DI	AT29LV040A-20DC	AT29LV040A-20DI
描述	Flash, 512KX8, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 512KX8, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 512KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 512KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	250 ns	250 ns	200 ns	200 ns
其他特性	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION
启动块	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP
命令用户界面	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	42.2 mm	42.2 mm	42.2 mm	42.2 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
部门数/规模	2K	2K	2K	2K
端子数量	32	32	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
页面大小	256 words	256 words	256 words	256 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm	5.72 mm	5.72 mm	5.72 mm
部门规模	256	256	256	256
最大待机电流	0.00002 A	0.00005 A	0.00002 A	0.00005 A
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

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