EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | LG Semicon Co Ltd |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 60 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 24 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ24/26,.34 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.11 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
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