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GM71VS17403BLJ-6

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,
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文件大小2MB,共29页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71VS17403BLJ-6概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,

GM71VS17403BLJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新YES
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

 
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