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JANTXV1N6467US

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小163KB,共20页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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JANTXV1N6467US概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

JANTXV1N6467US规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BODED
最小击穿电压43.7 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压63.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-MELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/551
最大重复峰值反向电压30.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

 
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