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IRFF131R

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小183KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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IRFF131R概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IRFF131R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)69 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)200 ns
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