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IC42S8200-7T

产品描述Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44,
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文件大小721KB,共76页
制造商Integrated Circuit Solution Inc
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IC42S8200-7T概述

Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44,

IC42S8200-7T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Circuit Solution Inc
包装说明TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
端子数量44
字数2097152 words
字数代码2000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

IC42S8200-7T相似产品对比

IC42S8200-7T IC42S8200-6T IC42S8200-8TI IC42S8200-7TI IC42S8200-6TI IC42S8200-8T
描述 Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, Synchronous DRAM, 2MX8, 5.5ns, CMOS, PDSO44, Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, Synchronous DRAM, 2MX8, 5.5ns, CMOS, PDSO44, Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Circuit Solution Inc Integrated Circuit Solution Inc Integrated Circuit Solution Inc Integrated Circuit Solution Inc Integrated Circuit Solution Inc Integrated Circuit Solution Inc
包装说明 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 6 ns 5.5 ns 6 ns 6 ns 5.5 ns 6 ns
最大时钟频率 (fCLK) 143 MHz 166 MHz 125 MHz 143 MHz 166 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
端子数量 44 44 44 44 44 44
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP
封装等效代码 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.14 mA 0.145 mA 0.135 mA 0.14 mA 0.145 mA 0.135 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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