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FGH50N6S2_NL

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FGH50N6S2_NL概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

FGH50N6S2_NL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)100 ns
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)463 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)180 ns
标称接通时间 (ton)28 ns
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