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FDC3612D87Z

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDC3612D87Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

FDC3612D87Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)2.6 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FDC3612D87Z相似产品对比

FDC3612D87Z
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
厂商名称 Fairchild
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 2.6 A
最大漏源导通电阻 0.125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
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