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HPND-4166G: 产品描述Pin Diode, 100V V(BR), Silicon; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小134KB，共5页; 制造商Broadcom(博通)

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HPND-4166G概述

Pin Diode, 100V V(BR), Silicon

参数名称	属性值
厂商名称	Broadcom(博通)
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
应用	ATTENUATOR
最小击穿电压	100 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最大二极管电容	0.3 pF
二极管元件材料	SILICON
最大二极管正向电阻	1.5 Ω
二极管类型	PIN DIODE
JESD-30 代码	O-LALF-W2
少数载流子标称寿命	0.1 µs
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

	HPND-4166G	HPND-4166
描述	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon
厂商名称	Broadcom(博通)	Broadcom(博通)
包装说明	O-LALF-W2	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
应用	ATTENUATOR	ATTENUATOR
最小击穿电压	100 V	100 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
最大二极管电容	0.3 pF	0.3 pF
二极管元件材料	SILICON	SILICON
最大二极管正向电阻	1.5 Ω	1.5 Ω
二极管类型	PIN DIODE	PIN DIODE
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2
少数载流子标称寿命	0.1 µs	0.1 µs
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
最大功率耗散	0.25 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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