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HPND-0003

产品描述Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共2页
制造商HP(Keysight)
官网地址http://www.semiconductor.agilent.com/
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HPND-0003概述

Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, DIE-1

HPND-0003规格参数

参数名称属性值
厂商名称HP(Keysight)
零件包装代码DIE
包装说明S-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ATTENUATOR; LIMITER; SWITCHING
最小击穿电压35 V
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
标称二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
少数载流子标称寿命0.07 µs
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压20 V
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER

HPND-0003相似产品对比

HPND-0003
描述 Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, DIE-1
厂商名称 HP(Keysight)
零件包装代码 DIE
包装说明 S-XUUC-N1
针数 1
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
应用 ATTENUATOR; LIMITER; SWITCHING
最小击穿电压 35 V
配置 SINGLE
最大二极管电容 1.2 pF
标称二极管电容 1 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 PIN DIODE
JESD-30 代码 S-XUUC-N1
少数载流子标称寿命 0.07 µs
元件数量 1
端子数量 1
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP
最大功率耗散 0.25 W
认证状态 Not Qualified
反向测试电压 20 V
表面贴装 YES
技术 POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER

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