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HY628100AP-70I

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小53KB,共1页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY628100AP-70I概述

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS

HY628100AP-70I规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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