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MIG75J7CSB1W

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小220KB,共10页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MIG75J7CSB1W概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES

MIG75J7CSB1W规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压600 V
元件数量1
最高工作温度100 °C
VCEsat-Max2.2 V

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MIG75J7CSB1W
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <Intelligent Power Module>
MIG75J7CSB1W
(600V/75A 7in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Integrates inverter, brake power circuit and control circuits (IGBT drive units, and units for protection against
short-circuit current, over-current, under-voltage and over-temperature) into a single package.
The electrodes are isolated from the case
Low thermal resistance
V
CE (sat)
= 1.8 V (typ.)
UL recognized: File No.E87989
Weight: 278 g (typ.)
Equivalent Circuit
20
19
18
17
16
15
14
13
12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
W
1.
8.
15.
V
D
(U)
GND (V)
Open
2.
9.
16.
V
FO (U)
V
D
(W)
IN (B)
3.
10.
17.
IN (U)
FO (W)
IN (X)
U
4.
11.
18.
GND (U)
IN (W)
IN (Y)
B
5.
12.
19.
V
D
(V)
GND (W)
IN (Z)
6.
13.
20.
FO (V)
V
D
(L)
GND (L)
N
7.
14.
IN (V)
FO (L)
P
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