Synchronous DRAM, 256KX64, 9ns, CMOS, DIMM-144
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | IBM |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM144,32 |
针数 | 144 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 9 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 144 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM144,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.006 A |
最大压摆率 | 0.37 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
IBM13V25649AP-10T | IBM13V51649AP-7R5T | IBM13V25649AP-7R5T | IBM13V51649AP-10T | |
---|---|---|---|---|
描述 | Synchronous DRAM, 256KX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 | Synchronous DRAM, 512KX64, 7ns, CMOS, DIMM-144 | Synchronous DRAM, 256KX64, 7ns, CMOS, DIMM-144 | Synchronous DRAM, 512KX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 |
厂商名称 | IBM | IBM | IBM | IBM |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM144,32 | DIMM, DIMM144,32 | DIMM, DIMM144,32 | DIMM, DIMM144,32 |
针数 | 144 | 144 | 144 | 144 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 9 ns | 7 ns | 7 ns | 9 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 133 MHz | 133 MHz | 100 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 |
内存密度 | 16777216 bit | 33554432 bit | 16777216 bit | 33554432 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 144 | 144 | 144 | 144 |
字数 | 262144 words | 524288 words | 262144 words | 524288 words |
字数代码 | 256000 | 512000 | 256000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX64 | 512KX64 | 256KX64 | 512KX64 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM144,32 | DIMM144,32 | DIMM144,32 | DIMM144,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
最大待机电流 | 0.006 A | 0.012 A | 0.006 A | 0.012 A |
最大压摆率 | 0.37 mA | 0.55 mA | 0.45 mA | 0.47 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved