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GS832218AB-300IT

产品描述Cache SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小576KB,共39页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS832218AB-300IT概述

Cache SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119

GS832218AB-300IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
其他特性ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.99 mm
最小待机电流2.3 V
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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