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CHTB35-800

产品描述Alternistor TRIAC, 800V V(DRM), 35A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小228KB,共2页
制造商Cynergy 3
标准
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CHTB35-800概述

Alternistor TRIAC, 800V V(DRM), 35A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

CHTB35-800规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cynergy 3
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接MAIN TERMINAL 2
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率500 V/us
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压1.3 V
最大维持电流75 mA
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大漏电流0.005 mA
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流35 A
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型ALTERNISTOR TRIAC

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CHTA30/CHTB 35
High Temperature
150˚C Series
400/600/800V - TRIAC
Applications
• Heat Regulation
• Ovens
• Coffee Makers
• Cookers
• Light Dimming
• Control of Inductive Loads
• Motors
• Transformers
#
Superior Commutating
Performance at High Temperature
(di/dt)c = 25A/ms @ (dv/dt)c = 50V/µs
#
Ideal for Most Demanding Applications
#
Alternistor/No Snubber Type
#
IGT 50 mA
#
V
DRM
/V
RMM
400, 600, 800V
Absolute Maximum Ratings
RMS On-State Current (full sine wave)
Non Repetitive Surge Peak On-State Current
(Full Cycle, Tj Initial = 25
˚
C)
I
2
t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
I
G
=2 x I
GT
, tr<100 ns, T
j
= 150
˚
C
Tc = 115˚C
Tc = 80˚C
CONDITIONS
SYMBOL
RATING
TO-220AB
TO-220AB Iso
F =50 Hz
F =60 Hz
tp = 10 ms
I
T(RMS)
I
TSM
I
2
t
di/dt
35A (CHTB)
30A (CHTA)
380A
400A
660A
2
s
100A/µsec
4A
1W
-40 to +150
˚
C
-40 to +150
˚
C
2500 V
RMS
A1
A2
Peak Gate Current @ T
j
= 150˚C
G
tp = 20 µs
I
GM
PG(AV)
T
stg
T
j
V
ISO
Average Gate Power Dissipation @ Tj = 150
˚
C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
A2
TO-220AB Isolated
(CHTA30)
Isolation Voltage (CHTA Series only)
Electrical Characteristics
A1
A2
G
I
GT
MAX @ V
D
=12 V, R
L
= 33Ω
NOTE 1
V
GT
MAX @ V
D
=12 V, R
L
= 33Ω
V
GD
MIN @ V
D
=V
DRM
, R
L
= 3.3kΩ
I
H
MAX @ I
T
= 500 mA
NOTE 2
A2
QI-II-III
QI-II-III
Tj = 150
˚
C
QI-II-III
QI-III
QII
NOTE 2
50mA
1.3V
0.15V
75mA
75mA
100mA
500V/µs
25A/ms
TO-220AB Non-Isolated
(CHTB35)
I
L
MAX @ I
G
= 1.2 I
GT
I
L
MAX @ I
G
= 1.2 I
GT
dv/dt MIN @ V
D
= 67%V
DRM
(gate open)
Tj = 150˚C
Tj = 150˚C
G
A1
(di/dt)c MIN without snubber
NOTES 2 & 4
Static Characteristics
V
T
MAX @ I
TM
=35A, tp = 380µs
NOTE 2
Vto MAX @ Threshold Voltage
NOTE 2
Rd MAX @ Dynamic Resistance
NOTE 2
I
DRM
MAX @ V
DRM =
V
RRM
I
RRM
MAX @ V
DRM =
V
RRM
GENERAL NOTES
1.
2.
3.
4.
Minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.
For both polarities of A2 referenced to A1
All parameters at 25 degrees C unless otherwise specified.
Commutating dv/dt = 50V/µs, (exponential to 200Vpk)
Tj = 25˚C
Tj = 150˚C
Tj = 150˚C
Tj = 25˚C
Tj = 150˚C
1.5V
0.8V
16mΩ
5µA
8.5mA
ISO
9001
C E R T I F I E D
Competitive part number cross-reference available at:
www.cynergy3.com
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