Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2-44 |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.415 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SSOP |
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 最大待机电流 | 0.01 A |
| 最小待机电流 | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| CY7C1021CV33-12ZE | |||
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | ||
| 是否Rohs认证 | 不符合 | ||
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | ||
| 零件包装代码 | TSOP2 | ||
| 包装说明 | TSOP2-44 | ||
| 针数 | 44 | ||
| Reach Compliance Code | compliant | ||
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | ||
| 最长访问时间 | 12 ns | ||
| I/O 类型 | COMMON | ||
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | ||
| JESD-609代码 | e0 | ||
| 长度 | 18.415 mm | ||
| 内存密度 | 1048576 bit | ||
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | ||
| 内存宽度 | 16 | ||
| 功能数量 | 1 | ||
| 端子数量 | 44 | ||
| 字数 | 65536 words | ||
| 字数代码 | 64000 | ||
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ||
| 最高工作温度 | 125 °C | ||
| 最低工作温度 | -40 °C | ||
| 组织 | 64KX16 | ||
| 输出特性 | 3-STATE | ||
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | ||
| 封装代码 | SSOP | ||
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 | ||
| 封装形状 | RECTANGULAR | ||
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | ||
| 并行/串行 | PARALLEL | ||
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | ||
| 电源 | 3.3 V | ||
| 认证状态 | Not Qualified | ||
| 筛选级别 | AEC-Q100 | ||
| 最大待机电流 | 0.01 A | ||
| 最小待机电流 | 3 V | ||
| 最大压摆率 | 0.085 mA | ||
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | ||
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V | ||
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | ||
| 表面贴装 | YES | ||
| 技术 | CMOS | ||
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | ||
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | ||
| 端子形式 | GULL WING | ||
| 端子节距 | 0.8 mm | ||
| 端子位置 | DUAL | ||
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | ||
| 宽度 | 10.16 mm |
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