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HZK18-3

产品描述Zener Diodes
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共3页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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HZK18-3概述

Zener Diodes

HZK18-3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明MELF, SOD-80C, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
参考标准TS 16949
标称参考电压18.55 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压13 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.43%
工作测试电流5 mA

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
HZK Series
V
Z
:
2.0 - 36 V
P
D
:
500 mW
FEATURES :
* Low leakage, low zener impedance
* Maximum power dissipation of 500 mW
* Good for surface mounting on printed circuit board
* Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
MiniMELF (SOD-80C)
Cathode Mark
φ
0.063 (1.64)
0.055 (1.40)
0.019(0.48)
0.011(0.28)
0.142(3.6)
0.134(3.4)
Dimensions in inches and ( millimeters )
MECHANICAL DATA
* Case : MiniMELF Glass Case (SOD-80C)
* Weight : 0.05 gram (approximately)
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Zener Current see Table "Characteristics"
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
Value
Unit
P
D
T
J
T
STG
500
175
-55 to + 175
mW
°C
°C
Page 1 of 3
Rev. 01 : July 13, 2006

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