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2SJ219(S)

产品描述15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SJ219(S)概述

15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

2SJ219(S)规格参数

参数名称属性值
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

2SJ219(S)相似产品对比

2SJ219(S) 2SJ219(L)
描述 15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
表面贴装 YES NO
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