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2SJ214(S)

产品描述10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SJ214(S)概述

10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

2SJ214(S)规格参数

参数名称属性值
包装说明LDPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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2SJ214(L), 2SJ214(S)
Silicon P-Channel MOS FET
November 1996
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain

2SJ214(S)相似产品对比

2SJ214(S) 2SJ214(L)
描述 10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
包装说明 LDPAK-3 LDPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.25 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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