电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SK3689-01SC

产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
下载文档 详细参数 全文预览

2SK3689-01SC概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

2SK3689-01SC规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)242.7 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.57 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)64 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 699  1027  1139  1331  1641 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved