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2SK2052R

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共1页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK2052R概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN

2SK2052R规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3PF
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性FREDFET
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值80 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)440 ns
最大开启时间(吨)130 ns
Base Number Matches1

2SK2052R相似产品对比

2SK2052R 2SK1818MR
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN
零件包装代码 TO-3PF TO-220F15
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 3
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 FREDFET FREDFET
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 250 V
最大漏极电流 (ID) 10 A 20 A
最大漏源导通电阻 1.1 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 80 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 440 ns 450 ns
最大开启时间(吨) 130 ns 125 ns
Base Number Matches 1 1
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