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2SC5382-4000

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FTO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共1页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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2SC5382-4000概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FTO-220, 3 PIN

2SC5382-4000规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明FTO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压550 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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