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2SK957MR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共1页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK957MR概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN

2SK957MR规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220F15
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻8.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)170 ns
最大开启时间(吨)90 ns
Base Number Matches1

2SK957MR相似产品对比

2SK957MR 2SK951MR 2SK2051S
描述 Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 900 V 800 V 250 V
最大漏极电流 (ID) 2 A 2.5 A 10 A
最大漏源导通电阻 8.5 Ω 7 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 40 W 40 W 80 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 170 ns 280 ns 225 ns
最大开启时间(吨) 90 ns 120 ns 90 ns
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 TO-220F15 TO-220F15 -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB -

 
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